要的是，他还是鲲鹏v100晶片的项目主导人。

台下，受邀而来的庐州科大校长眯着眼睛，满脸笑容。

他都已经想好了，等发布会一结束，但凡有记者采访他，他都要大声说上一句：「李道鸣是科大的优秀毕业生！」

大屏幕上的画面随之切换，出现了一张趋势图。

dra制程节点演进曲线，在10n处几乎停滞，像一张遭遇心脏骤停的心电图。

「我刚加入天工科技的时候，老板问了我一个问题。」

李道鸣转身看向坐在第一排的陈延森。

后者微微点头，示意他继续。

「他说，道鸣，你觉得存储晶片还能继续进步吗？」

「我当时的回答是，不能。」

台下传来一阵窃窃私语。

「不是我悲观，而是物理学不允许。」

李道鸣说着，按下遥控器。

屏幕上出现了一个dra存储单元的剖面图。

「各位请看，这是传统dra的11结构，一个电晶体加一个电容。」

「电容用来存储电荷，电晶体则用来控制读写。」

「看起来很简单，对吧？」

「但当制程推进到10n以下，电容的物理尺寸已经小到无法存储足够的电荷。」

「这就像你用一个针眼大小的水桶去装水，水还没装满，就已经从边缘漏光了。」

「为了解决这个问题，山星、k海力士和美光等内存大厂，将电容做成深沟槽结构。」

「可是沟槽越深，刻蚀就越难，良率也越低！」

他的语速平稳，却字字扎心。

这些都是行业痛点！

dra电容缩放逼近物理极限，3dnand深宽比刻蚀良率告急。

所有人都陷入了euv资本支出陷阱与多重曝光的成本墙中。

天工科技虽说拥有一定成本优势，但那也是因为星源科技提供了内部采购价。

他们能够以全球最低价买入破晓a3xeuv光刻机，以及6n级氖气，但想大幅降低成本，也不是一件容易的事情。

「3dnand也一样。」

「从64层堆到128层，深宽比已经超过了60：1。

「这是什么概念？」

「相当于你要在一根头发丝粗细的管道里，钻出60倍深度的孔，还要保证孔壁光滑、

垂直、不塌陷。」

「晶圆边缘的良率，已经低到不能看。」

李道鸣继续说道。

他顿了顿，轻笑一声：「这就是2018年存储行业的真相。」

「不是不想进步，而是物理学按住了我们的脖子。」

「所以，老板又问了我第二个问题。」

李道鸣话锋一转，眼神也亮了起来。

「如果不存储电荷，我们还能存储什么？」

「答案是，存储原子的状态！」

说完，他往前迈了一步，掷地有声地说道：「我们放弃了半导体行业坚持五十年的电荷存储方案，转向阻变存储，也就是rera技术方案。」

「原理其实很简单，在

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